Transistor IGBT

TRANSISTOR IGBT GUATEMALA

Componente: Transistor IGBT IRGPH20M

 

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) tienen mayores densidades de corriente que puedan utilizarse comparados a los transistores bipolares, estos proporcionan beneficios sustanciales a una serie de alto voltaje, alta aplicaciones actuales.

 

Características:

 

  • Short circuit rated - 10us @ 125°C, V GE = 15V Switching-loss rating includes all "tail" losses
  • Optimized for medium operating frequency (1 to 10kHz)
  • Short Circuit Rated
  • Fast IGBT
  • Case/Package: TO-247AC
  • Collector-to-Emitter Voltage: 1200V
  • Continuous Collector Current 6.9A
  • Hoja de Datos.